我們接著上一篇文章為大家繼續(xù)介紹GIS內(nèi)部缺陷：
（5）GIS氣室絕緣子在制造時絕緣體內(nèi)部或表面存在氣泡、裂紋等
氣泡缺陷主要包括絕緣子內(nèi)部存在氣泡和絕緣子與高壓導(dǎo)體交界面的氣隙缺陷。氣泡缺陷通常很小，常常是在制造過程中形成但又很難檢測，比如盆式絕緣子、橫擔(dān)/支柱絕緣子，絕緣套管在產(chǎn)品制造的過程中，壓鑄過程中空氣沒有擠出完全，導(dǎo)致絕緣子內(nèi)部殘留有氣泡等。氣泡放電機理比較復(fù)雜，這是因為在一個氣泡中就有可能存在著多種類型的放電。一般認為氣泡中的放電可能有3個途徑：一是貫穿氣泡的氣體放電；一是沿氣泡上下底面的沿面放電；一是沿氣泡壁的表面放電。另外，也有可能存在著多個氣泡，各個氣泡的放電又各不相同，互相影響疊加，造成貫穿性故障。
（6）絕緣子表面非金屬污染物缺陷
GIS設(shè)備在生產(chǎn)、裝配、運行以及檢修等過程中會在設(shè)備內(nèi)部產(chǎn)生非金屬污染物，如灰塵、油污等，并且現(xiàn)場的安裝條件復(fù)雜，無法完全清除。當(dāng)這些污染物運動到絕緣子表面可能會被絕緣子表面吸附，如果這些非金屬污染物改變GIS設(shè)備內(nèi)部電場強度的分布，進而會導(dǎo)致局部放電產(chǎn)生。
（7）地電極故障缺陷
地電極缺陷通常也是由于加工不良、機械破壞或組裝時的刮擦等因素形成的設(shè)備外殼尖刺、錯位而造成的，其中設(shè)備外殼的金屬尖刺故障缺陷最為常見。一般這種故障缺陷的起始放電電壓較高，SF6氣體的擊穿電壓更高，不會導(dǎo)致SF6的氣體擊穿，但是相比較而言，當(dāng)GIS設(shè)備外殼的金屬尖刺出現(xiàn)在絕緣子表面的外緣或底部時，容易發(fā)生沿面放電。
（8）交界面缺陷
GIS設(shè)備屬于固體一氣體組成的復(fù)合絕緣系統(tǒng)。放電通常發(fā)生在SF6氣體一絕緣子一金屬電極的三物質(zhì)交界面處。由于SF6氣體的介電常數(shù)比固體絕緣材料的小，因此在三種物質(zhì)交界面上SF6氣體中的電場強度較高，容易出現(xiàn)碰撞電離并逐漸發(fā)展成絕緣子沿面閃絡(luò)，是絕緣的薄弱環(huán)節(jié)。同時金屬電極與固體絕緣子接觸時也會形成楔形的微小間隙，也會使得局部場強升高。
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