GIS局部放電
GIS設備出現(xiàn)局部放電的主要原因是其自身存在的絕緣缺陷，因為在生產(chǎn)、運輸以及現(xiàn)場安裝設備的過程中難以避免出現(xiàn)工藝和清潔上的缺陷和差錯，這些缺陷會影響GIS設備的可靠性，些種缺陷包括固定缺陷、自由導電微粒、接觸不良和浮電位、絕緣子缺陷等，這些缺陷在電場作用下容易出現(xiàn)局部放電，可能導致GIS設備的絕緣損壞。具體原因說明如下：
（1）固有缺陷。
其中包括外殼內(nèi)表面上和導體由于安裝欠佳、刮傷和毛刺造成的金屬凸起物，以及固體絕緣表面上的凸起微粒。生產(chǎn)工藝不良或安裝不精細是造成這些固定缺陷的原因，導體表面會出現(xiàn)細尖的毛刺。此類缺陷雖然在穩(wěn)定的運行電壓狀態(tài)下不會引起擊穿，但對于特殊狀況電壓如沖擊電壓、快速暫態(tài)過電壓(VFOT)條件下會異常敏感并容易導致絕緣擊穿。（2）GlS設備內(nèi)可自由移動的金屬微粒。
作為氣體絕緣裝置中最常見的缺陷之一，GlS設備在制造、裝配和運行的過程中中普遍容易產(chǎn)生自由金屬微粒。GlS故障大部分由其導致。在交流電壓影響下，GlS中的自由金屬微粒能夠獲得電荷并在電場的作用下移動。雖然在很大程度上，微粒運動與放電的可能性是隨機的，但是微粒在巨大的電場作用下可能徹底穿過接地外殼和高壓導體之間的間隙。微粒的形狀、材料等因素決定了微粒的運動程度，當微粒靠近而未接觸高壓導體或遷移并固定到絕緣子表面時，最可能發(fā)生局部放電。（3）傳導部分接觸不良和浮電位。
靜電屏蔽中的導體連接方式通常采用輕負荷接觸，這些接觸會隨時間推移變成接觸不良。一方面，接觸不良點經(jīng)受了會產(chǎn)生的具有腐蝕性的產(chǎn)物的弱放電，進而導致進一步惡化了其中的電接觸，使得屏蔽電極成為電位浮動的電極。在另一方面，接觸點會出現(xiàn)機械振動使得接觸變差，最終導致出現(xiàn)電極電位浮動，這些機械振動由機械上的不良接觸產(chǎn)生的靜電力引起。（4）絕緣子本身存在缺陷。
絕緣子制造過程中容易形成由于實驗閃絡和內(nèi)部空隙引起的表面缺陷，另外因電極粗糙容易嵌進金屬微粒而引起缺陷。還會出現(xiàn)環(huán)氧樹脂固化過程中的收縮程度和金屬電極不同引起的層離和空隙。但這些缺陷一般非常細小因而難以檢測。一般情況下，由上述的各種缺陷所引發(fā)的局部放電具有以下的特征：
1）GIS設備中在工頻正負半周內(nèi)絕緣子內(nèi)部的氣隙放電基本類似，即正負半周放電指紋基本對稱。在實驗電壓幅值的絕對值提高部分可能會出現(xiàn)放電脈沖，所加電壓決定了放電頻率，但是如果出現(xiàn)強烈的放電后，放電脈沖可能會拓展到電壓絕對值下降部分
相位上，而且每次放電的大小不相同。
2）電暈放電容易發(fā)生在電場不均勻時的導體周圍，GIS設備中的電暈放電過程相似于空氣中的電暈放電，因為氣體中充滿自由移動的分子，因此局部放電脈沖容易發(fā)生在施加電場的正負峰值附近，并且隨著電壓增加，局部放電脈沖加大，其頻率也增加。
3）通常用自由導電微粒和固體導體上金屬突起微粒放電的相位分布存在明顯不同這個特征來區(qū)分缺陷類型的不同。GIS設備中的自由導電微粒能吸引電荷，從而在交流電壓作用下衍生出各種隨機出現(xiàn)的姿態(tài)，姿態(tài)的隨機性體現(xiàn)在于所加電壓和微粒特性的差異上。自由導電顆?？赡芴S至GIS設備的高場強區(qū)，這樣形成的局防易演變?yōu)榻^緣擊穿的放電通道。在各種自由導電微粒之中，殘留在GIS設備的金屬碎屑或金屬顆粒產(chǎn)生的各種局放效應是最為嚴重的，所以GIS設備內(nèi)可自由移動的金屬微粒對設備產(chǎn)生較大危害。
4）在出廠時，絕緣子可能是完好的，但在整個運輸、安裝以及調(diào)試過程中容易對絕緣子造成輕微損傷。這些損傷在運行初期可能不會顯露出來，但卻增加了缺陷演變的可能，成為潛在隱患。絕緣子表面的缺陷增加表面電荷的積累，這種積累損壞了絕緣子的表面絕緣，使得絕緣子滑閃甚至發(fā)生擊穿。其放電特征為：小電荷的局部放電脈沖發(fā)生在電流最大相位過零時，隨著電壓上升出現(xiàn)不規(guī)則的脈沖。
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