1、內(nèi)部局部放電
造成內(nèi)部放電的常見原因是固體絕緣體內(nèi)部存在氣隙或液體絕緣內(nèi)部存在氣泡；絕緣內(nèi)部氣隙發(fā)生放電的機(jī)理隨氣壓和電極系統(tǒng)的變化而異。（1）局部放電按放電機(jī)理可分為三類：
①以電子碰撞電離為主的湯遜放電；
②以光電離為主的流注放電；
③以熱電離為主的熱電離放電。
（2）根據(jù)放電的表現(xiàn)形式，局部放電可分為：
①脈沖型火花型
持續(xù)時(shí)間1-100ns，包括低幅度、上升時(shí)間較緩慢的湯遜型火花放電和大幅度、快上升時(shí)間的似流注火花放電。
②放電和非脈沖型輝光放電
具有無脈沖性質(zhì)，占據(jù)半個(gè)工頻周期的大部分區(qū)域。
③亞輝光放電
也稱群放電，存在小幅度的離散脈沖，是輝光放電和火花放電之間的過渡形式。
三種放電形式的存在和轉(zhuǎn)變與氣隙大小、氣隙上的過電壓、氣壓等有關(guān)。輝光放電或亞輝光放電多發(fā)生在小氣隙或氣泡和低過電壓情況下。而當(dāng)存在大氣隙和高過電壓時(shí)，電子崩可以充分發(fā)展，容易產(chǎn)生火花脈沖放電。氣隙不變，過電壓增大，輝光放電、亞輝光放電向火花放電轉(zhuǎn)變。在短氣隙局放中，三種形式的放電均以電子崩碰撞電離為主，屬于湯遜放電，可以較明顯地分辨電子電流和離子電流。高過電壓下，由于陰極發(fā)射增強(qiáng)，局放電流以電子電流為主，離子電流所占比重不大。低過電壓下，電子電流顯著減少，光電離作用突出，離子電流增大，造成放電電流尾部加長，所產(chǎn)生的湯遜脈沖放電表現(xiàn)為低幅值、慢上升時(shí)間的小脈沖，放電量相對較小。而在大氣隙中，放電脈沖多屬于流注型，幅值大，上升沿陡，放電量較大。
在理論上，內(nèi)部放電的放電波形在工頻正、負(fù)半波是對稱的，但由于氣隙或氣泡周圍絕緣材料的絕緣電阻并非理想情況下的無窮大，同時(shí)由于在放電中可能發(fā)生沿氣隙或氣泡壁表面放電等原因，實(shí)際的正、負(fù)工頻周期放電圖形是不完全對稱的，而且與電極系統(tǒng)的形式有很大的關(guān)系：電極系統(tǒng)結(jié)構(gòu)相對越對稱，正、負(fù)工頻周期放電圖形就越對稱。它接連放電脈沖波形的特點(diǎn)是：局部放電總是首先出現(xiàn)在試驗(yàn)電壓的瞬間值上升接近90°或270°的相位。
2、表面局部放電
在電氣設(shè)備的高電壓端，由于電場集中，而且沿面放電場強(qiáng)又比較低，往往會產(chǎn)生表面局部放電；絕緣體表面放電的過程及機(jī)理與絕緣內(nèi)部氣隙或氣泡放電的過程及機(jī)理相似，不同的是放電空間一端是絕緣介質(zhì)，另一端是電極。如果電極系統(tǒng)是不對稱的，發(fā)生在工頻正、負(fù)半波的放電圖形也是不對稱的。當(dāng)放電的一端是高壓電極，不放電的電極接地時(shí)，在正半周出現(xiàn)的放電脈沖是大而稀，負(fù)半周出現(xiàn)的是小而密；在對稱電極系統(tǒng)中，正負(fù)二半周放電情況相同，放電圖形基本上是對稱的。
3、電暈放電
電暈放電通常發(fā)生在高壓導(dǎo)體周圍完全是氣體情況下。由于氣體中的分子自由移動(dòng)，放電產(chǎn)生的帶電質(zhì)點(diǎn)不會固定在空間某一位置上。對于針一板電極系統(tǒng)，針尖附近場強(qiáng)最高而發(fā)生放電，由于負(fù)極性時(shí)容易發(fā)射電子，同時(shí)正離子撞擊陰極發(fā)生二次電子發(fā)射，使得放電在負(fù)極性時(shí)最先出現(xiàn)。當(dāng)外加電壓較低時(shí)，電暈放電脈沖出現(xiàn)在外加電壓負(fù)半周90°相位附近，并幾乎對稱于90°；當(dāng)電壓升高時(shí)，正半周會出現(xiàn)少量幅值大而數(shù)量少的放電脈沖。正負(fù)兩半周中的放電波形是極不對稱的。除以上是三種最基本的局部放電形式外，絕緣體中存在水珠、導(dǎo)電雜質(zhì)、電氣設(shè)備內(nèi)部存在懸浮電位體也會引起局部放電；液體絕緣內(nèi)部也可能出現(xiàn)固體表面局部放電和電暈放電。
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