GIS設(shè)備的絕緣性能是確保其安全運(yùn)行的重要條件。GIS設(shè)備內(nèi)部中的金屬微粒、粉末和水分等導(dǎo)電性雜質(zhì)是引發(fā)GIS設(shè)備故障的原因。GIS設(shè)備存在導(dǎo)電性雜質(zhì)時(shí)，因局部放電而發(fā)出不正常聲音、振動(dòng)、產(chǎn)生放電電荷、發(fā)光、產(chǎn)生分解氣體等異?，F(xiàn)象。GIS的故障率具有非偶然性的特點(diǎn)，GIS在生產(chǎn)、安裝以及運(yùn)行等過(guò)程都可能使GIS內(nèi)部有電極表面臟污、毛刺、自由粒子、接觸不良引起浮電位等缺陷。上述缺陷導(dǎo)致GIS在高電壓下造成內(nèi)部電場(chǎng)畸變，畸形電場(chǎng)發(fā)展到一定程度，便形成GIS內(nèi)的局部放電，在絕緣系統(tǒng)中留下缺陷，從而定期進(jìn)行狀態(tài)檢測(cè)十分有必要。
GIS中主要缺陷類型
1. 接地體和帶電體部分上的突起、毛刺
接地體或帶電部分上的凸起將使電場(chǎng)局部增高，不過(guò)由于交流電壓變化緩慢，這種缺陷對(duì)于設(shè)備交流耐電水平的影響相對(duì)較小，但卻會(huì)大大降低雷電沖擊耐電水平。
2. 顆粒：自由顆粒和盆式絕緣子上的固定顆粒
自由移動(dòng)的顆粒對(duì)于設(shè)備的雷電沖擊耐電水平的影響相對(duì)較小，但卻會(huì)使交流耐電水平明顯降低，其主要取決于顆粒的形狀和位置，顆粒越長(zhǎng)且越接近高壓導(dǎo)體，危險(xiǎn)性就越大，如果移動(dòng)到支持絕緣子上，也可能使之絕緣劣化，從而引起閃絡(luò)。
3. 絕緣子內(nèi)部的空隙和缺陷
絕緣子內(nèi)部的缺陷會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的局部放電，繼而產(chǎn)生樹(shù)枝放電并可能引起擊穿。不過(guò)由于超聲波會(huì)在絕緣材料中發(fā)生衰減，故而并不能有效探測(cè)出此類缺陷。
4. 電氣懸浮和機(jī)械松動(dòng)的屏蔽
如果電場(chǎng)屏蔽發(fā)生機(jī)械松動(dòng)，就有可能產(chǎn)生電位懸浮，如果松動(dòng)正好發(fā)生在帶電的電極上，則會(huì)引起屏蔽和電極之間產(chǎn)生較強(qiáng)的局部放電。
綜上所述，超聲波檢測(cè)對(duì)于凸起、毛刺、顆粒以及電場(chǎng)屏蔽松動(dòng)所引發(fā)的GIS內(nèi)部局放缺陷有著較高的靈敏度。
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